作为金属回收行业人士而言，我们经常都会说到锗块时有很多细节是需要注意的。你知道锗块多少钱一公斤？今天就让小编跟你们说说吧！

世界上第一个造芯片的人是谁，他怎么知道沙子可以造芯片？

世界上第一块芯片是 杰克·基尔（Jack Kilby）比发明的。

杰克·基尔（Jack Kilby）

至于你提问的“他是怎么知道沙子可以造芯片”下边介绍里有粗体字注解

杰克·基尔比（Jack Kilby，1923年11月8日－2005年6月20日）是集成电路的两位发明者之一。1947年，基尔比获得伊利诺伊大学的电子工程学学士学位，1950年获得威斯康星大学电子工程硕士学位。1958年，成功研制出世界上第一块集成电路。2000年，基尔比因集成电路的发明被授予诺贝尔物理学奖。

沙子最一般的组成成份为二氧化硅，通常为石英的形式，因其化学性质稳定和质地坚硬

当然，要使大街货的沙子变成充满科技感的CPU其中必然会经历一系列复杂的过程。首先，就要对沙子进行提纯，在亿万颗砂砾中选择出最纯净的单质硅原料，这个过程也存在较大的难度。需要将天然沙子放在专门的高温处理仪器上进行高温熔化，而后冶炼出精度高达99.99%的单质硅晶体，这才算是走完了“万里长城第一步”，接下来还有重重关卡在等候。

基尔比的父亲是位电气工程师，并担任过堪萨斯电力公司的总裁，在世人们看来，基尔比的确是个典型的理工男。基尔比身高一米八九，有着一张和善的脸和一头地中海式的卷发，与人说话时的语速慢得出奇。然而，基尔比的动手能力却可谓为一流。而且，基尔比始从始至终乐意被人们当作一名工程师来对待，且对自己的动手能力向来颇有自信。

1958年，基尔比34岁，正式加入德州仪器中工作。当时美苏冷战进入第一次高潮期。1957年，世界上第一颗人造卫星被苏联航天机构成功地送上了预定轨道，美国内舆论一片哗然，美国当局以及美国军方部门对此倍感压力。当时美国军方本已与德州仪器建立起合作关系，美国军方要求德州仪器研制出小型化的计算机设备。可是，基尔比倒是觉得，与其按德州仪器计划的那样把所有的成品元件整合到一起，倒不如一开始就把这些元件集成到一块芯片上。如此便可避免各元件间连接显得很是复杂。他利用德州仪器其他员工们外出度假之机，独自呆在半导体实验室中就此展开研究。

杰克·基尔（Jack Kilby）

基尔比通过两个多月的努力，到1958年9月12日，基尔比发明出了全球第一块集成电路样品，这件东西有半英寸长，由做在一块锗片上的两个电路组成。随后，基尔比向他的同事们展示了这个样品。当他紧张地检查好连接，推上开关，一条浅绿色的模型线横穿示波器的屏幕，画出一条完美的正弦波形，实验成功了！基尔比的成功很大程度上仰仗着他堪比外科医生的过人手艺，手工将元件用细金属线与芯片连接起来，但距离能在工厂流水线上进行实用化生产还有相当的距离。”

全球第一块集成电路

前面说了基尔比和他发明了全球第一块集成电路，后面自然还要说到诺伊斯。诺伊斯从小在美国中西部一个普普通通的乡村成长，没有显赫的家庭背景，完全凭借着自己的勤奋与聪慧，在世界半导体行业中创出了一番大事业。世界IT业界中流行着这样一种说法：“集成电路芯片的发明专利是由两个人共同持有的，一个是基尔比，另外一个人就是在IT界中名气响当当的诺伊斯。”

诺伊斯与摩尔等人于1957年创立仙童半导体后不久，仙童半导体跟德州仪器一样，亦试图找出让计算机设备小型化的方法。于是，诺伊斯为首的研究团队便不得不攻克大量的难题。其中最为关键的一个技术难点在于，“电路中电线越多，电子脉冲就绕得越远，而人们无法使脉冲快过光速，那么人们制造快速计算机的最佳方案是通过缩小电路板的方式以减少脉冲穿行距离”，诺伊斯的团队为解决这一世界性的技术难题用了两年多的时间。1959年7月，诺伊斯研发出一种二氧化硅（沙子的主要成分就是二氧化硅）的扩散技术和PN结的隔离技术，并创造性地在氧化膜上制出铝条连线，让元件与导线合为一体，开发出了半导体芯片的平面制作工艺，为工业化量产奠定了坚实的基础。由于硅的商业前景远胜于锗，所以诺伊斯一直把自己的目光锁定在硅芯片上。

后来，仙童半导体最终走向分崩离析，主要原因之一是研发团队与投资方之间的矛盾不断激化。仙童半导体的八个创始人只好各奔前程，而其中，诺伊斯、摩尔与格鲁夫于1968年联合创立了英特尔。先前，英特尔的主要业务集中于存储器。1969年4月，来自日本的计算机厂商Busicom与英特尔开展业务合作，由英特尔为Busicom的五款计算器开发相应的专用处理器。

锗字什么出现的？ 唐朝以前应该是没有吧。

发现人：文克勒

发现年代：1886年。[1]

锗、锡和铅在元素周期表中是同属一族，后两者早被古代人们发现并利用，而锗长时期以来没有被工业规模的开采。这并不是由于锗在地壳中的含量少，而是因为它是地壳中最分散的元素之一，含锗的矿石是很少的。从德国的拉丁名germania命名新元素为germanium（锗），以纪念发现锗的文克勒的祖国。元素符号定为Ge。锗继镓和钪后被发现，巩固了化学元素周期系。

门捷列夫于1871年预言其存在，十四年后德国化学家文克勒于1885年在分析硫银锗矿时发现了锗，后由硫化锗与氢共热，制出了锗。[2]

门捷列夫把它命名为类硅。

锗块

1886年，锗终于被德国弗莱贝格 (Freiberg) 矿业学院 (今天的TU Bergakademie Freiberg) 分析化学教授文克勒发现。他是在分析夫赖堡附近发现到一种新的矿石——argyrodite（辉银锗矿4Ag2S·GeS2）的时候，发现有一未知的新元素并通过实验验证了自己的推断。它的存在被Mendeleev预言过，他预言其原子量约71，密度约5.5 g/cm³。

点触式晶体管是什么?

一个点接触电晶体是固态电子晶体管第一类是有史以来建造的。它是由研究人员约翰巴丁和沃尔特来登在贝尔实验室在1947年12月。他们的工作与物理学家威廉布拉德福德肖克利，谁不想发明分享信贷。这三人是一起进行的固态材料电场效应理论。

实验包括1块锗有两个非常密集的黄金持有反对弹簧接触。布拉坦并随附了一个塑料三角点金箔小带状配置基本上是点接触二极管。然后，他仔细地切片通过黄金三角的一角。这产生两个电气隔离黄金接触非常接近对方。

一个早期的晶体管模型

锗是一种半导体，因此它可以允许电流通过它，或让没有通过。该作品用了一个电子的过量表面层，称为N型锗。当一个电子信号穿过金箔它注入孔（点缺乏电子的）。这造成了薄薄的一层已经建立了一个电子稀缺。

小正电流适用于两个接触一个人对现行的与其他接触和所依据的锗块装基地是流入的影响。事实上，在第一次接触改变目前小，造成了第二次接触更大的变化电流，因此它是一个放大器。第一次接触是“发射”，第二个接触是“收藏家”。今天的双极晶体管的三个码头的术语是基础，发射极和集电极。低到点接触晶体管电流输入端是发射极，而产量高电流终端的基极和集电极。这从后来结型晶体管不同，1951年发明了现代晶体管做什么，低为基础，两个高电流输出端电流输入端是发射极和集电极运作。

点接触晶体管的商业化和西方电气等公司出售的，但较快的晶体管取代，因为这以后类型是易于制造，而且更加坚固。锗是广泛采用的两个晶体管的制造几十年。它几乎已经完全取代硅和其他合金材料，但是在使用的仍然是在二极管，如高精度传感器，其中包括所用的辐射计数器。

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